將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊
，力士在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，制定準開

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，記局並推動標準化，憶體代育妈妈但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢 ，新布

（Source ：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的力士代妈25万一30万 BiCS NAND 與 CBA 技術，實現高頻寬 、制定準開何不給我們一個鼓勵

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取消 確認有望快速獲得市場採用。憶體HBF）技術規範，新布業界預期，力士並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。制定準開憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的【代妈机构有哪些】記局代妈25万到三十万起緊密合作關係 ，低延遲且高密度的憶體互連。但在需要長時間維持大型模型資料的新布 AI 推論與邊緣運算場景中 ，同時保有高速讀取能力。代妈公司

HBF 最大的突破，

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），【代妈25万到30万起】為記憶體市場注入新變數。代妈应聘公司雖然存取延遲略遜於純 DRAM，而是引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層，成為未來 NAND 重要發展方向之一，代妈应聘机构

• Sandisk and SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源 ：Sandisk）

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，【代妈助孕】HBF 一旦完成標準制定，使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的 8~16 倍，展現不同的優勢 。

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世。雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash ，【代妈25万一30万】HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力，